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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
退火炉（退火窑）配备煤气发生炉要根据退火窑的大小，窑炉面积，容量多方考虑，选择适当的煤气发生炉。一般铸造用退火炉温度大都是750℃加热温度，但也有其他铸造件因材质问题需要较高温度的，有些合金铸件退火温度达1000℃还高，所以退火窑所选用煤气发生炉大小也要考虑退火金属属性。目前有以高档耐火保温棉和硅酸铝板等材料制作的退火炉窑，其保温性好，炉体吸收热量少，相对耐火砖建造的退火炉耗能低。配备煤气发生炉时，退火炉窑的建造材质已经退火炉结构，余热利用的效能都是考虑因素，具体情况要区别对待。
均匀化退火以减少工件化学成分和组织的不均匀程度为主要目的，将其加热到高温并长时间保温，然后缓慢冷却的退火，均匀化退火一般用于合金钢铸件，通常在1050～1250℃长时间保温，使碳化物充分固溶。保温时间与钢中的溶质元素偏析程度、扩散温度及工件尺寸的有关。
退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。
