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多温区半导体(晶体)外延生长炉(第三代)

多温区半导体(晶体)外延生长炉(第三代)

  • 所属分类:多温区半导体(晶体)外延生长炉(第三代)
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  • 发布日期:2019-12-07
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

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                                                             多温区半导体(晶体)外延生长炉(第三代)


项目(结构、材质、参数)基本技术
全部钢材用料304不锈钢板
加热炉内圆同心度炉膛内部同心度±13nm
炉膛内壁表面工艺整洁平整、无不规则缺口,不掉落碎块
绝缘保温材料材质成型1400型氧化铝制品,新型保温材料
炉膛保温材料材质与物理性质成型1600型氧化铝制品,结构致密,高温条件下强度好,不易碎,不掉落
外売的温度60℃/100℃
长期工作的极限温度1300℃
加热炉核心点位温度900℃, 1150℃
温升速率10-15℃/min
加热温区工作电压三相基本平衡
加热温区的功率分配根据控制点温度,确定加热温区功率
功率负荷<90%
加热模块围护更换各自独立,便于更换,形变控制
热电偶数量每段温区设置2个,一个控温,一个测温


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