例如钛合金于加热和冷却时发生同素异构转变，低温为α相密排六方结构)，高温为β相体心立方结构，其中间是“α+β”两相区，即相变温度区间。重庆半导体生长炉为了得到接近平衡的室温稳定组织和细化晶粒，也进行重结晶退火，即缓慢加热到高于相变温度区间不多的温度，保温适当时间，使合金转变为β相的细小晶粒；重庆半导体生长炉然后缓慢冷却下来，使β相再转变为α相或α+β两相的细小晶粒。

单位质量/体积的燃料完全燃烧，重庆半导体生长炉当燃烧产物冷却到燃烧前的温度时所放出的热量一般室温25摄氏度。重庆半导体生长炉依据燃烧产物中水蒸气包括燃料中所含水生成的水蒸气和燃料中的氢燃烧时生成的水蒸气的不同形态，分为两种发热量：高温发热量、低位发热量高位发热量高位热值：燃料完全燃烧，燃烧产物中的水蒸汽全部凝结为液态水时所放出的热量低位发热量低位热值：燃料完全燃烧，燃烧产物中的水蒸汽仍以气态存在时所放出的热量。

该炉是供金属机件、环件等在额定的温度下进行热处理设备简介：本炉是由炉体与一个可移动的炉盖及控制系统组成。炉体外壳采用型钢及钢板焊接而成。重庆半导体生长炉炉盖支撑采用型钢和导轨组合移动式。元件采用北京首钢产的高电阻合金0Cr25Al5布置在炉侧。炉底由于承重采用高铝砖砌筑，炉子中心采用大圈套小圈做法，里外加热。重庆半导体生长炉炉盖采用液压升降，电机控制自动行走。温控系统采用PID可控硅控制，精度高。

故障出现后，监控主画面上方会出现报警提示，根据提示内容可初步判定故障设备，报警具体如下：V101阀位报警、V105阀位报警加热段煤气换向报警加热段空气换向报警、保温段煤气换向报警、保温段空气换向报警。重庆半导体生长炉其中，V101阀即加热段煤气快切阀，V105阀即保温段煤气快切阀。每一设备由动作部分和阀位反馈部分组成。动作部分由电磁阀带气动元件发生动作。重庆半导体生长炉出现上述报警后，首先查看报警设备在监控主画面上显示的颜色，确定其状态。

将工件完全奥氏体化后缓慢冷却，接近平衡组织的退火。完全退火奥氏体化温度一般选为Ac3加三十摄氏度到五十摄氏度，对于某些高合金钢，为使碳化物固溶应适当提高奥氏体化温度。为了改善低碳钢的切削性能，可采用九百摄氏度到一百摄氏度的晶粒粗化退火。为了消除亚共析钢锻件、铸件、焊接件的粗大魏氏组织，需将奥氏体化温度提高到一千一百摄氏度到一千两百摄氏度，随后补充进行常规完全退火。 

均匀化退火又称扩散退火。重庆半导体生长炉应用于钢及非铁合金如锡青铜、硅青铜、白铜、镁合金等的铸锭或铸件的一种退火方法。将铸锭或铸件加热到各该合金的固相线温度以下的某一较高温度，长时间保温，然后缓慢冷却下来。重庆半导体生长炉均匀化退火是使合金中的元素发生固态扩散，来减轻化学成分不均匀性偏析，主要是减轻晶粒尺度内的化学成分不均匀性晶内偏析或称枝晶偏析。均匀化退火温度所以如此之高，是为了加快合金元素扩散，尽可能缩短保温时间