该炉是供金属机件、环件等在额定的温度下进行热处理设备简介：本炉是由炉体与一个可移动的炉盖及控制系统组成。炉体外壳采用型钢及钢板焊接而成。大连半导体生长炉炉盖支撑采用型钢和导轨组合移动式。元件采用北京首钢产的高电阻合金0Cr25Al5布置在炉侧。炉底由于承重采用高铝砖砌筑，炉子中心采用大圈套小圈做法，里外加热。大连半导体生长炉炉盖采用液压升降，电机控制自动行走。温控系统采用PID可控硅控制，精度高。

连续光亮退火炉用途：用于不同规格铜直管棒、钢管、铝管或盘园在控制气氛下连续光亮退火特点：工件连续通过预热、加热、保温、缓冷、冷却，不受长度限制。大连半导体生长炉传动采用托辊式同步传动，变频调速，平稳可靠。大连半导体生长炉通保护气氛和强力的热气氛循环，温度均匀，内外表面十分光亮。冷却区设计独特，保证工件均匀冷却。处理的产品内外表面光亮，产品质量高，生产率高。加热方式：电加热或燃气加热

故障出现后，监控主画面上方会出现报警提示，根据提示内容可初步判定故障设备，报警具体如下：V101阀位报警、V105阀位报警加热段煤气换向报警加热段空气换向报警、保温段煤气换向报警、保温段空气换向报警。大连半导体生长炉其中，V101阀即加热段煤气快切阀，V105阀即保温段煤气快切阀。每一设备由动作部分和阀位反馈部分组成。动作部分由电磁阀带气动元件发生动作。大连半导体生长炉出现上述报警后，首先查看报警设备在监控主画面上显示的颜色，确定其状态。

将工件完全奥氏体化后缓慢冷却，接近平衡组织的退火。完全退火奥氏体化温度一般选为Ac3加三十摄氏度到五十摄氏度，对于某些高合金钢，为使碳化物固溶应适当提高奥氏体化温度。为了改善低碳钢的切削性能，可采用九百摄氏度到一百摄氏度的晶粒粗化退火。为了消除亚共析钢锻件、铸件、焊接件的粗大魏氏组织，需将奥氏体化温度提高到一千一百摄氏度到一千两百摄氏度，随后补充进行常规完全退火。