退火炉是用于制造半导体器件的过程，该过程涉及加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转变成薄膜，或者将薄膜转变成晶片衬底界面，制成致密沉积的薄膜，改变生长薄膜的状态，注入损伤，移动掺杂

熔化炉用于使固体物料过热直至其溶解。通常，热处理设备用于通过小心地升高材料的温度来改变其表面或内部特性。对于金属，这通常会增加韧性和强度。这需要能够产生并维持低于材料熔点的温度的工业炉。相反，由熔化炉产生的软着陆温度超过金属的熔点，并